Le 2N5551 est un transistor bipolaire NPN à haute tension encapsulé dans un boîtier plastique standard TO-92. Il est spécifiquement conçu pour les applications d’amplification de faible puissance et de commutation exigeant des tensions de fonctionnement élevées.
Spécifications techniques principales
| Paramètre | Valeur maximale | Description |
|---|---|---|
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𝑉𝐶𝐸𝑂
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160 V | Tension collecteur-émetteur maximale (base ouverte) |
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𝑉𝐶𝐵𝑂
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180 V | Tension collecteur-base maximale (émetteur ouvert) |
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𝐼𝐶
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600 mA | Courant de collecteur continu maximal |
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𝑃𝐷
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625 mW | Dissipation de puissance maximale (à 𝑇𝐴=25∘C) |
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ℎ𝐹𝐸
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80 à 250 | Gain en courant continu (pour 𝐼𝐶=10mA) |
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𝑓𝑇
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100 à 300 MHz | Fréquence de transition (vitesse de commutation) |
