La 1N5819 est une diode Schottky à commutation ultra-rapide. Elle est largement utilisée dans les circuits basse tension pour sa faible chute de tension directe et sa grande efficacité énergétique.
Caractéristiques principales
- Courant direct maximal (𝑰𝑭) : 1,0 Ampère
- Tension inverse maximale (𝑽𝑹𝑹𝑴) : 40 Volts
- Chute de tension directe (𝑽𝑭) : Environ 0,3 V à 0,5 V (contre 0,7 V pour une diode classique en silicium)
- Courant de surcharge (𝑰𝑭𝑺𝑴) : Jusqu’à 25 Ampères
- Boîtier standard : DO-41 (composant traversant axial)
Avantages et inconvénients
- Points forts : Vitesse de commutation quasi instantanée. Idéale pour éviter les pertes de puissance par dissipation thermique.
- Points faibles : Courant de fuite inverse plus élevé qu’une diode standard (surtout à haute température), et tension inverse limitée à 40V.
Applications courantes
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Convertisseurs DC-DC haute fréquence
- Protection contre l’inversion de polarité
- Circuits de roue libre
