Le 1N5711 est une diode Schottky à signal faible très populaire, encapsulée en boîtier de verre traversant DO-35. Elle intègre un anneau de garde (guard ring) pour résister aux tensions élevées tout en conservant une vitesse de commutation ultra-rapide (dans l’ordre des picosecondes). Elle est couramment utilisée pour la détection HF/UHF, le mélange de signaux, l’écrêtage audio et la protection de circuits logiques.
Principales Caractéristiques Techniques
- Tension inverse maximale (𝑽𝑹𝑹𝑴/𝑽𝑹) : 70 V (Tension continue de service recommandée : 50 V).
- Courant direct max (𝑰𝑭/𝑰𝑶) : 15 mA à 33 mA selon les fabricants (ex: Microchip Technology ou STMicroelectronics).
- Tension directe (𝑽𝑭) : Très faible, typiquement 0,41 V à 1 mA (maximum de 1 V à 15 mA).
- Temps de recouvrement inverse (𝒕𝒓𝒓) : Environ 100 picosecondes (ps), ce qui la rend idéale pour les très hautes fréquences (RF).
- Capacité de jonction (𝑪𝒋) : Très faible, environ 2 pF, limitant les pertes à haute fréquence.
𝑽𝑹
