Le 2N2907 est un transistor bipolaire de type PNP en silicium très populaire. Il est conçu pour des applications d’amplification linéaire et de commutation rapide à faible puissance.
C’est le complément logique du célèbre transistor NPN 2N2222 ou 2N2222A.
📌 Brochage (Pinout)
Le transistor possède 3 broches. L’ordre dépend du boîtier (boîtier métallique rond TO-18ou boîtier plastique plat TO-92).
En regardant la face plate du boîtier plastique TO-92 (de gauche à droite avec les broches vers le bas) :
- Émetteur (E)
- Base (B)
- Collecteur (C)
⚙️ Caractéristiques techniques principales
Voici les spécifications issues des fiches techniques de fabricants majeurs comme NXP Semiconductors et STMicroelectronics :
| Paramètre | Valeur maximale / Type |
|---|---|
| Polarité | PNP |
| Courant de collecteur continu (𝑰𝑪) | 600 mA (Maximum) |
| Tension Collecteur-Émetteur (𝑽𝑪𝑬𝑶) | 40 V (60 V pour la version 2N2907A) |
| Tension Collecteur-Base (𝑽𝑪𝑩𝑶) | 60 V |
| Tension Émetteur-Base (𝑽𝑬𝑩𝑶) | 5 V |
| Dissipation de puissance totale (𝑷𝑫) | 400 mW à 625 mW (selon boîtier et marque) |
| Gain en courant continu (𝒉𝑭𝑬ou β) | 100 à 300 |
| Fréquence de transition (𝒇𝑻) | 200 MHz |
