Le 2N5401 est un transistor bipolaire de structure PNP conçu principalement pour l’amplification à usage général et la commutation dans des circuits à haute tension. Il est couramment encapsulé dans un boîtier en plastique de type TO-92.
📌 Brochage (Pinout)
En regardant la face plate du transistor (où les inscriptions sont écrites), les broches se comptent de gauche à droite :
- Émetteur (E)
- Base (B)
- Collecteur (C)
⚙️ Caractéristiques principales
- Tension Collecteur-Émetteur (𝑽𝑪𝑬𝑶) : 150 V maximum (idéal pour les tensions élevées)
- Tension Collecteur-Base (𝑽𝑪𝑩𝑶) : 160 V maximum
- Tension Émetteur-Base (𝑽𝑬𝑩𝑶) : 5 V maximum
- Courant de Collecteur continu (𝑰𝑪) : 600 mA (0,6 A) maximum
- Dissipation de puissance totale (𝑷𝑫) : 625 mW
- Gain de courant continu (𝒉𝑭𝑬) : compris entre 60 et 240 (selon les conditions de test)
- Fréquence de transition (𝒇𝑻) : de 100 à 300 MHz
